鸿星晶振,有源晶振,HXO-S晶振,有源晶振,是只晶体本身□起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前台产晶振晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更【好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	1-54MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信↓息
电源电压	VCC	1.8-5.0V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -20℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料/
		H: -40℃ to +85℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作〖频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出ζ负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
	VIL	20 % VCC Max.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

所有石英晶体振荡器『和实时时钟模块都以IC形式提供。

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,射频应用晶振可能导致会引发功能失常或击穿的闭门⌒　或杂散现象。

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能ζ　低。

输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）。

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。贴片振荡器同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功∮率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情ㄨ况。

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,小型普通有源晶振因此安装时,请检查安装方向是否正确。

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工◥作。

鸿星晶振,有源晶振,HXO-S晶振