SG-8018CA晶振,有源晶振,可编程晶振,低电※压晶振

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爱普生晶振,SG-8018CA晶振,晶体振荡器

频率：0.67MHZ~170MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

智能手机有源晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶『体振荡器,适用※于移动通信终端的基准时钟等移动通信领←域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等数码产品类别,晶振◥本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领▼域,满足无铅工作的高温回流温度曲线要求.

订购热线：86-0755-27838351

爱普生晶振,SG-8018CA晶振,晶体振荡器

爱普生拓优科╲梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为晶体元器↓件更是离不开的“产业之盐”将进一步致力于小型,高稳定,高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大¤突破,使得〖爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
那我们说说爱⌒　普生KHZ的产品工艺吧,爱普生KHZ产品分有圆柱DIP和贴片SMD.KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名的. 32.768K晶振是ξ　一款数字电路板都要使用到的重要部件,有人比喻为电路板的心跳¤发生器,也就是说心如果停止了跳动,那么电路■板也将无法进行稳定◢的工作了.32.768K中爱普生C-002RX是一⌒　款受欢迎的圆柱音叉晶振,体积只有2*6mm.精工的VT-200-F,西铁城的CFS206,KDS的DT-26同体积同参数.因此说道的四款型号晶振都是可以相互替换使用的.只是有客户比较钟爱某个品牌,或者是上级有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的ω优点有
1,超小型、薄型、质※地轻的音叉圆柱晶振,使焊接更为方便简单.
2,具备优良〗的耐热性、耐ξ环境特性
3,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.
爱普生除此C-002RX晶振,C-001也是工艺中比较常用到↘的音叉晶振,体积大①概只有3*8mm.只是2*6体积稍微小一点,比□　较受广发消费者的爱戴.同此相比,当♂然也有比2*6更小的体积了,例如体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振.价格相对来说都是比较贵的.因为体积小就意味着占用空间小.
KHZ贴片系列,爱普生在这一系列上做的可是相当的卓越,将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm.在这之前最小的体积★基本上就是3.2*1.5mm.爱普生的不断突破使其在Ψ 市场上占有绝对的优势.只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵.因▂为里面晶片磨的越小,就代表工艺越『复杂.该贴片晶振具有的优点
1,高精度小型表面贴片型晶体谐振器
2,轻薄型不小型化为高端产品带来了更大▃的方便
3,可发挥优良的电气特性※
4,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.爱普生晶振,SG-8018CA晶振,晶体振荡器

全套日本爱普生晶振生产设备,全自动封胶点焊,网络系统自动分频检测设备,SMD全套现代化生产线.贴片晶振,全套材料采用日本进口,日本电波NDK晶振原厂『供应晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外壳基座】∞.主要生产:石英晶振,贴片晶振,有源晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,32.768K钟表晶振,陶瓷雾化片,晶振,谐振器,等产品.并且代理日本进口晶振,爱普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一线品牌.与我国台湾,TXC晶振,鸿星晶振,希华晶振,加高晶振等品牌成为」战略合作伙伴.

在2018年与多个欧美晶振品牌签订代销代理同盟█合作关系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多个有源晶振进口品牌合作关系,主要以车规◤晶振,工业级晶振,差分晶振,差分晶体振荡器,进口差分晶振,军工晶体为主打.优质的品质:高频,高稳,高温,高质量,小尺寸,低相噪,低抖动,低能耗,低损耗,低功率,底电源电压等优势的进口差分晶□振.是国内最■早采用SMD全自动化生产企业,并且2005年在赣州地区信丰工业园自购土地兴建现代化生产厂房,实至名归晶振厂家高新企业,产品60%用于出口.主要以数码产品,智能穿戴,家居智能化,汽车电子,医疗设备,手机导航等产品为主要客户源.康华尔电子-以品质求生存,完善的工艺∮,先进的设备,服务市场,服务客户.

SG-8018CA

项目符号规格说明条件

电源电压 V_CC 1.80 V Typ. 2.50 V Typ. 3.30 V Typ.

1.62 to 1.98V 1.98 to 2.20V 2.20 to 2.80V 2.70 to 3.63 V

输出频率范围 f₀ 0.67 MHz to 170 MHz

储存温度 T_stg -40°C to +125°C 裸存

工作温度 T_use H: -40°C to +105°C

频率稳定度 *1 f_tol J: ±50 × 10^-6 T_use= -40°C to +105°C

功耗 I_CC 3.2mA Max. 3.3mA Max. 3.4mA Max. 3.5mA Max. T_use=+105°C 无负载条件
f₀= 20 MHz

2.7mA Typ. 2.9mA Typ. 3.0mA Typ. T_use=+25°C

5.5mA Max. 5.8mA Max. 6.7mA Max. 8.1mA Max. T_use=+105°C 无负载条件
f₀= 170 MHz

4.7mA Typ. 5.7mA Typ. 6.8mA Typ. T_use=+25°C

输出禁用电流 I_dis 3.2mA Max. 3.2mA Max. 3.3mA Max. 3.5mA Max. OE=GND , f₀ = 170 MHz

待机电流 I_std 0.9μA Max. 1.0μA Max. 1.5μA Max. 2.5μA Max. T_use=+105°C ST = GND

0.3μA Typ. 0.4μA Typ. 0.5μA Typ. 1.1μA Typ. T_use=+25°C

占空比 SYM 45% to 55% 50% V_CC 级

输出电压
(DC特性) V_OH 90% V_CC Min. [mA]

tr / tf V_CC A B C D

默认
(f₀>40MHz)
快速 I_OH -2.5 -3.5 -4.0 -5.0

I_OL 2.5 3.5 4.0 5.0

默认
(f₀≦40MHz) I_OH -1.5 -2.0 -2.5 -3.0

V_OL 10% V_CC Max. I_OL 1.5 2.0 2.5 3.0

缓慢 I_OH -1.0 -1.5 -2.0 -2.5

I_OL 1.0 1.5 2.0 2.5

A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V
C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V

输出负载条件
(CMOS) L_CMOS 15pF Max.

输入电压 V_IH 70% V_CC Min. OE or ST

V_IL 30% V_CC Max.

上升/下降时间默认 tr / tf 3.0 ns Max. f₀> 40MHz 20% V_CC to 80% V_CC级
L_CMOS=15pF

6.0 ns Max. f₀ ≦ 40MHz

快速 3.0 ns Max. f₀=0.67to170MHz

缓慢 10.0 ns Max. f₀=0.67to20MHz

禁用时间 t_stp 1 μs Max. 从OE和ST 引脚越过30%的V_CC时测量

启用时间 t_sta 1 μs Max. 从OE引脚越过70%的V_CC时测量

恢复时间 t_res 3 ms Max. 从ST引脚跨越70%V_CC时测量

振荡器启◣动时间 t_str 3 ms Max. 从V_CC达到其额定的最小值，1.62 V随时间测量

频率老化 f_aging 这包含在频率●容差规范 +25°C, 10年

项目	符号	规格说明	条件
电源电压	V_CC	1.80 V Typ.	2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
输出频率范围	f₀	0.67 MHz to 170 MHz
储存温度	T_stg	-40°C to +125°C	裸存
工作温度	T_use	H: -40°C to +105°C
频率稳定度 *1	f_tol	J: ±50 × 10^-6	T_use= -40°C to +105°C
功耗	I_CC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use=+105°C	无负载条件 f₀= 20 MHz
2.7mA Typ.	2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use=+25°C
5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use=+105°C	无负载条件 f₀= 170 MHz
4.7mA Typ.	5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use=+25°C
输出禁用电流	I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f₀ = 170 MHz
待机电流	I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use=+105°C	ST = GND
0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use=+25°C
占空比	SYM	45% to 55%	50% V_CC 级
输出电压 (DC特性)	V_OH	90% V_CC Min.	[mA]
tr / tf	V_CC	A	B	C	D
默认 (f₀>40MHz) 快速	I_OH	-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
I_OL	2.5	3.5	4.0	5.0
默认 (f₀≦40MHz)	I_OH	-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
V_OL	10% V_CC Max.	I_OL	1.5	2.0	2.5	3.0
缓慢	I_OH	-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
I_OL	1.0	1.5	2.0	2.5
A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
输出负载条件 (CMOS)	L_CMOS	15pF Max.
输入电压	V_IH	70% V_CC Min.	OE or ST
V_IL	30% V_CC Max.
上升/下降时间	默认	tr / tf	3.0 ns Max.	f₀> 40MHz	20% V_CC to 80% V_CC级 L_CMOS=15pF
6.0 ns Max.	f₀ ≦ 40MHz
快速	3.0 ns Max.	f₀=0.67to170MHz
缓慢	10.0 ns Max.	f₀=0.67to20MHz
禁用时间	t_stp	1 μs Max.	从OE和ST 引脚越过30%的V_CC时测量
启用时间	t_sta	1 μs Max.	从OE引脚越过70%的V_CC时测量
恢复时间	t_res	3 ms Max.	从ST引脚跨越70%V_CC时测量
振荡器启◣动时间	t_str	3 ms Max.	从V_CC达到其额定的最小值，1.62 V随时间测量
频率老化	f_aging	这包含在频率●容差规范	+25°C, 10年

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